三星电子年内第三度推动DRAM涨价，叠加A股存储龙头江波龙上半年净利最高预增超743倍，存储芯片行业景气正从上游原厂加速传导至下游模组企业。
三星年内第三度推涨DRAM售价
7月3日，据媒体援引外媒报道，三星电子正与下游客户展开第三季度DRAM价格谈判，目标将通用DRAM平均售价较上季度提高20%。服务器和移动端均面临供给瓶颈的LPDDR，涨幅甚至有望超过20%。一家消费电子终端厂商负责人向第一财经证实，6月已收到三星DRAM提价的口头通知。
值得注意的是，这是三星今年第三次推涨DRAM售价。第一季度DRAM均价暴涨约90%，第二季度涨幅50%至60%。
本轮存储涨价的根源在于AI需求激增引发的供需错配——三星、SK海力士、美光三大原厂将大部分产能转向HBM，传统DRAM供给被大幅排挤，新增产能最快要到2027年放量。
不过，涨价能否完全落地仍有变数。据TrendForce集邦咨询预计，第三季度整体DRAM格局虽持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅预计收敛至13%至18%。
存储厂商业绩炸裂式增长
存储赛道持续高景气，相关上市公司业绩也持续兑现。
江波龙最新发布的2026年半年度业绩预告显示，公司预计上半年实现归母净利润92亿元至110亿元，同比增长62204%至74394%，即最高预增约743倍。营业收入预计达220亿元至250亿元，同比增长116%至145%。
业绩爆发背后，江波龙已与多家全球头部存储晶圆原厂续签长期供货协议（LTA），锁定晶圆供应。公司在公告中直言，受下游需求增加以及全球存储晶圆产能总体增长有限的影响，全球半导体存储产业景气，为公司创造了良好的外部环境。
此外，江波龙的炸裂业绩并非孤例。多只存储芯片概念股中报业绩预告同样亮眼：长川科技中报净利同比预增110.76%至 134.18%；富满微上半年归母净利润预增351.63%至407.54%；主营元器件分销的中电港净利也同比预增176.43%至193.01%。
机构看好存储超级周期延续至2027年
中信证券近日研报指出，存储行业周期属性彻底重构，此前由手机、PC库存周期主导，波动周期2至3年；本轮由全球AI算力长期资本开支驱动，2026至2028年维持连续三年高景气，行业盈利中枢持续上移，估值体系从周期股切换为高成长科技赛道。
招商证券认为，长协锁单彰显存储紧缺延续，合约价上行趋势不变，预计下半年NOR Flash仍有60%至65%以上调涨空间，SLC NAND有70%至75%上涨空间。
摩根士丹利最新发布大中华半导体报告称，成熟存储芯片进入持续性超级涨价周期，DDR4、NOR、SLC NAND全线供需偏紧，下游企业被动补库放大需求。摩根大通则大幅上调全球存储市场规模预测，预计2028年TAM将达约1.7万亿美元，存储芯片正从周期性商品向AI基础设施战略核心资产转型。
多只概念股获融资客超亿元抢筹
东方财富概念板块显示，当前市场共有近130只存储芯片概念股，合计总市值约10万亿元。中芯国际市值超1.2万亿元居首，北方华创、华虹宏力、兆易创新、中微公司、生益科技市值均超3900亿元。
年初至今，存储芯片板块翻倍牛股多达56只。大普微暴涨约1187%，臻宝科技涨逾1112%，普冉股份、中科仪均大涨逾5倍，红板科技、科翔股份、德明利、太极实业、佰维存储等涨幅居前。
近一周，存储芯片概念股走势分化，正帆科技、有研硅、时空科技、蓝晓科技、富满微均涨逾三成表现活跃；石英股份、快克智能跌逾20%走势偏弱。
从资金角度看，东方财富Choice数据显示，近一周共有25只存储芯片概念股融资净买额在1亿元以上。北方华创、雅克科技分别获杠杆资金加仓7.57亿、7.03亿元，中微公司获抢筹5.93亿元，佰维存储、华海清科、飞凯材料、普冉股份等5股均获超3亿元融资净买入。
澜起科技近日接受机构调研时表示，公司已成功向客户送样DDR5第六子代RCD芯片。该芯片支持高达9200MT/s的数据传输速率，较上一代产品提升15%，可满足下一代服务器平台对高带宽的严苛要求。
佰维存储聚焦嵌入式存储赛道，首款国产自研主控eMMC （SP1800）已量产交付，实现多个国产突破；公司预计2026年自研主控出货量超过2500万颗；自研UFS 3.1主控计划下半年开始导入终端客户。
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